- Conceptos básicos de sistemas lineales, funciones y transformadas relacionadas, teoría de circuitos eléctricos, fundamentos de circuitos electrónicos, principios físicos de los semiconductores (especialmente de transistores MOSFET y BJT) y modelos en pequeña señal. - Conceptos básicos de tecnología electrónica adquiridos en titulaciones de grado como Grado en Ingeniería Electrónica Industrial y Automática, Grado en Ingeniería de Sistemas Audiovisuales, Grado en Ingeniería de Sistemas de Comunicaciones, Grado en Ingeniería Telemática, Grado en Ingeniería Electrónica de Comunicaciones, Grado en Ingeniería en Tecnologías de Telecomunicación, Grado en Ingeniería en Tecnologías Industriales con intensificación en electrónica, o similares.

Los principales objetivos de la asignatura son los siguientes: - Dotar al alumnado de formación en circuitos microelectrónicos analógicos. Estos conocimientos incluyen formación específica en los bloques constructivos de los circuitos integrados analógicos, conociendo los problemas y no idealidades asociados, la metodología a seguir para el diseño de circuitos analógicos complejos compuestos de varios bloques conectados y su verificación vía simulación. - Dotar al alumnado de habilidades prácticas con los lenguajes y las herramientas de diseño de circuitos integrados, así como las tendencias actuales en su evolución. Para ello es necesario realizar ejercicios prácticos empleando dichas herramientas, orientándolos al diseño de chips analógicos. - Dotar al alumnado, a través de ejemplos prácticos, de los conocimientos necesarios para el diseño de circuitos analógicos orientados a las operaciones típicas necesarias a nivel industrial, tales como la amplificación, el filtrado, la modulación o la generación de voltajes y corrientes de referencia.

1. Estudio avanzado de los transistores de la tecnología MOSFET. 1.1 Introducción. Polarización y modelos en pequeña señal. 1.2 Escalamiento. Características no ideales de transistores CMOS. PVT. Mismatch. 1.3 Orientación hacia el diseño analógico. Factor de inversión. Ecuaciones. 2. Ruido y distorsión en circuitos integrados. 2.1 Tipos de ruido eléctrico. 2.2 Modelos de ruido. Ruido referido a la entrada. Relación señal a ruido. 2.3 Distorsión en circuitos integrados. 3. Circuitos de polarización y referencia integrados. 3.1 Fuentes y espejos de corriente: simple, cascodo, arquitecturas de mayor complejidad. 3.2 Circuitos de referencia de tensiones. 3.3 Referencias independientes con respecto a la temperatura. 4. Amplificadores integrados de tensión y corriente. 4.1 Amplificadores simples: CS, CD, CG. 4.2 Estructuras en cascodo. 4.3 Par diferencial, OTA básico, simétrico, folded-cascode, Miller. 4.4 Circuitos de control del modo común. 4.5 Etapas de salida. 4.6 Arquitecturas de alta frecuencia, baja tensión, bajo ruido. 5. Circuitos analógicos muestreados y de interfaz. 5.1 Interruptor MOSFET. Fenómenos de inyección de carga. 5.2 Ruido kT/C. 5.3 Circuitos de muestreo y retención. 6. Comparadores integrados. 6.1 Etapas de comparación: pre-amplificación, decisión y salida. 6.2 Caracterización de comparadores. 6.3 Tipos de comparadores. 7. Osciladores integrados. 7.1 Fundamentos matemáticos de osciladores. 7.2 Ejemplos.

- Clases teóricas y prácticas de resolución de ejercicios, tutorías individuales y en grupo y trabajo personal del estudiante; orientadas a la adquisición de conocimientos teóricos. - Clases basadas en diseño y verificación mediante simulación a través de herramientas informáticas. Se fomenta el uso de dichas herramientas que complementan la formación teórico-práctica adquirida en las clases teóricas y de resolución de ejercicios. Realización de proyectos de diseño microelectrónico evaluables. - Exámenes parciales y finales.