En esta asignatura se detallan diversos componentes electrónicos, fotónicos, electro-ópticos y micro-electromecánicos, que requieren profundizar en aspectos tecnológicos al hacerlos formar parte de los sistemas electrónicos, consiguiendo con ello un valor añadido.
Se incluyen las últimas tecnologías utilizadas, nuevos materiales y nuevas estructuras, de forma que puedan ser utilizados en los diseños y especificaciones de subsistemas electrónicos complejos. Entre los componentes que se abordan en esta asignatura se incluyen dispositivos y componentes electrónicos de potencia de uso específico; por ejemplo los basados en tecnologías Wide Bandgap como carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) para alta tensión, corriente y potencia. Así mismo se describen; componentes activos de alta frecuencia como MESFETs, HEMTs, HBTs, y sus circuitos de aplicación. Como parte importante también se estudian dispositivos y componentes fotónicos pasivos y activos; por ejemplo redes de Bragg en fibra óptica y láser de cascada cuántica, moduladores (Mach-Zehnder, electroabsorción) y amplificadores ópticos, demultiplexores basados en resonadores en anillo ópticos. Dispositivos basados en cristales líquidos y dispositivos micro-electromecánicos (MEMS), sus propiedades y entornos de aplicación (p.e. sensores capacitivos, bioingeniería, filtros SAW, moduladores espaciales de luz SLMs y filtros cromáticos).
Esta asignatura ofrece al alumno la capacidad de integrar los últimos componentes electrónicos, micro-electromecánicos, fotónicos y electroópticos disponibles en el mercado y que forman parte de los sistemas electrónicos de alto valor añadido.